填空题晶体生长过程中，移动的生长界面将不可避免地出现干扰，（）理论把微干扰在生长界面重迭行为考虑在内，界面出现任何周期干扰都可以用正弦函数的富氏级数表示。
填空题用直拉法生长硅单晶，当生长界面凸向熔体时，单晶生长界面不但受到（）作用还受到（）的作用。
填空题生长界面具有表面张力，一个弯曲表面一定受到一个法向力的作用，法向力主要作用是克服（）。
填空题正温度梯度，在溶质边界层内，产生的过冷区不是由于负温度梯度产生的，而是由于（）而引起的，故称组分过冷。
填空题正温度梯度中在溶质边界层内，熔体的实际温度比熔体应有的（）高，在熔体内部的界面附近形成了过冷区，这个区域中的熔体处于（）。
