NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。

判断题PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。

判断题集成电路制造需要在告别净化环境下进行，通常净化室内气压应高于净化室外气压。

判断题集成电路制造需要在告别净化环境下进行，而光刻区对净化级别要求最高，如普通制造环境为1000级，则光刻区的净化环境则为10000级。

判断题用EDA软件（如Cadence）画集成电路版图，不需要建立层次和单元，只需用Createrectangle命令一个器件一器件的画，相同的器件用copy命令copy一下就可以了。

判断题在集成电路版图设计中，器件之间的联接是通过引线孔和金属层联接的，如有源区的引出，多晶硅电阻的联接。

判断题建立一个新的layout cell view时不一定需要重建一个新的library，有时只需要在一个已有的library中再开一个新的cellview就可以了。

判断题在运行PDRACULA检查LVS时，软件告诉我要运行的STAGE的数字如果等于大于或不等于运行jxrun.com文件是得STAGE的数字，这说明我的错改少了。

判断题在运行PDRACULA检查DRC时，软件告诉我要运行的STAGE的数字如果大于或不等于运行jxrun.com文件是得STAGE的数字，这说明我的错改少了。

判断题在Virtuoso layout的快捷键命令中，f是fit整个layout画面的意思，那么k是是copy一个图形的意思。

判断题在Virtuoso layout的快捷键命令中，f是fit整个layout画面的意思，那么m是移动一个图形的意思。

判断题在Virtuoso layout的快捷键命令中，f是fit整个layout画面的意思，那么r是代表清除尺子的意思。

判断题做LVS检查需要GDSII文件，网表文件（netlist），和LVS命令文件这三个基本文件。

判断题做DRC检查需要GDSII文件和DRC命令文件两个基本文件。

判断题器件电容决定MOS晶体管的动态特性，门电容和源漏结电容是主要的确定因素。

判断题MOS器件工作在亚阈值区，对于漏电流起决定作用的是扩散而不是漂移。