原理是在1100℃左右的高纯硅芯上用高纯氢还原高纯三氯氢硅，生成多晶硅沉积在硅芯上，形成高纯多晶硅的工艺。反应式为：SiHCl3+H2=Si +3HCl
填空题当半导体材质中的受主杂质电离时，受主杂质从价带中俘获一个电子，在价带留下一个空状态，这个空状态称作（）。
填空题单晶硅中（）（简称寿命）是硅单晶的一个重要参数。
