计算题

测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。

问答题写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。

问答题图示为硅三极管在工作时实测的各极对地电压值。试根据各极对地电压判断三极管的工作状态。

问答题试总结晶体三极管分别工作在放大、饱和、截止三种工作状态时，三极管中的两个PN结所具有的特点。

问答题在下图所示电路中，设D为理想二极管，已知输入电压ui的波形。试画出输出电压uo的波形图。

问答题计算下图所示电路的电位UY（设D为理想二极管）。   （1）UA＝UB＝0时； （2）UA＝E，UB＝0时； （3）UA＝UB＝E时。

单项选择题晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管（）

A.发射结为反向偏置
B.集电结为正向偏置
C.始终工作在放大区

单项选择题晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管所处的状态是（）

A.放大状态
B.饱和状态
C.截止状态

单项选择题测得某三极管三根引线对公共端的电位：引线1是-4V，引线2是-3.3V，引线3是-8V。该管是（）

A.PNP型锗管
B.NPN型硅管
C.PNP型硅管

单项选择题变容二极管在电路中主要作用（）

A.整流
B.稳压
C.发光
D.可变电容器

单项选择题流过二极管的电流增大，其直流电阻将（）

A.增大
B.基本不变
C.减小

单项选择题硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（）

A.减小
B.基本不变
C.增大

单项选择题PN结形成后，空间电荷区构成由（）

A.价电子
B.自由电子
C.空穴
D.杂质离子

单项选择题杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

A.温度
B.掺杂工艺
C.掺杂浓度
D.晶格缺陷

单项选择题三极管组成的放大电路在工作时，测得三极管上各电极对地直流电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，则此三极管已处于（）。

A.放大区
B.饱和区
C.截止区
D.击穿区

单项选择题PN结加正向电压时，其正向电流是（）。

A.多子扩散而成
B.少子扩散而成
C.少子漂移而成
D.多子漂移而成