计算题

计算下图所示电路的电位U_Y（设D为理想二极管）。
 
（1）U_A＝U_B＝0时；
（2）U_A＝E，U_B＝0时；
（3）U_A＝U_B＝E时。

单项选择题晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管（）

A.发射结为反向偏置
B.集电结为正向偏置
C.始终工作在放大区

单项选择题晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管所处的状态是（）

A.放大状态
B.饱和状态
C.截止状态

单项选择题测得某三极管三根引线对公共端的电位：引线1是-4V，引线2是-3.3V，引线3是-8V。该管是（）

A.PNP型锗管
B.NPN型硅管
C.PNP型硅管

单项选择题变容二极管在电路中主要作用（）

A.整流
B.稳压
C.发光
D.可变电容器

单项选择题流过二极管的电流增大，其直流电阻将（）

A.增大
B.基本不变
C.减小

单项选择题硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（）

A.减小
B.基本不变
C.增大

单项选择题PN结形成后，空间电荷区构成由（）

A.价电子
B.自由电子
C.空穴
D.杂质离子

单项选择题杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

A.温度
B.掺杂工艺
C.掺杂浓度
D.晶格缺陷

单项选择题三极管组成的放大电路在工作时，测得三极管上各电极对地直流电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，则此三极管已处于（）。

A.放大区
B.饱和区
C.截止区
D.击穿区

单项选择题PN结加正向电压时，其正向电流是（）。

A.多子扩散而成
B.少子扩散而成
C.少子漂移而成
D.多子漂移而成

单项选择题测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为VE＝3V，VB＝3.7V，VC＝3.3V，则该管工作在（）。

A.放大区
B.饱和区
C.截止区
D.击穿区

单项选择题用万用表R×1K的电阻挡检测某一个二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，这说明该二极管是属于（）。

A.短路状态
B.完好状态
C.极性搞错
D.断路状态

单项选择题处于截止状态的三极管，其工作状态为（）。

A.发射结正偏，集电结反偏；
B.发射结反偏，集电结反偏；
C.发射结正偏，集电结正偏；
D.发射结反偏，集电结正偏。

判断题只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。

判断题二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。