A.间隙化合物B.间隙相C.电子化合物D.正常价化合物
单项选择题当形成间隙相的两组元的原子半径差()时,可以形成无限固溶体。
A.> 15%B.= 15%C.< 15%D.≤ 15%
单项选择题间隙化合物的结构比较()。
A.简单B.一般C.复杂D.有规律
单项选择题在合金钢中常遇到的间隙化合物有M3C 型,其中M 表示()元素。
A.非金属B.金属C.过渡D.放射性
单项选择题间隙化合物()。
A.不稳定B.很稳定C.熔点低D.硬度低
单项选择题TiC 使高速钢具有高的()。
A.硬度B.强度C.韧性D.红硬性
单项选择题空位、外来杂质原子、间隙原子构成了()。
A.点缺陷B.线缺陷C.面缺陷D.体缺陷
单项选择题点缺陷是()处理的理论基础。
A.真空热B.化学热C.保护气氛热D.固溶
单项选择题点缺陷()恢复。
A.不能B.能全部C.只能部分D.在低温下可
单项选择题碳在铁中的含量超过溶解度后剩余的碳可以有2种存在形式,即以石墨碳和()的形式存在。
A.奥氏体B.马氏体C.铁素体D.渗碳体
单项选择题在莱氏体中,渗碳体是()分布的相。
A.网状B.颗粒状C.间断D.连续
单项选择题热处理时的“过烧”是由于晶界处的能量()而造成的。
A.高B.低C.为0D.极大
单项选择题晶粒越细,相变速度()。
A.越快B.越慢C.不变D.与材料有关
单项选择题当温度升高时,晶粒长大的倾向是()能量的过程。
A.自发降低B.自发增高C.被动降低D.被动增高
单项选择题一个完整晶体的某一晶面上多出一排晶面的错排现象称为()。
A.刃型位错B.螺型位错C.左旋螺型位错D.右旋螺型位错
单项选择题在位错现象中,有左右之分的是()位错。
A.刃型B.口型C.螺型D.条型