组成间隙相的组元A 与B 的原子半径比小于（）。……

单项选择题Cr33C6属于（）。

A.间隙化合物
B.间隙相
C.电子化合物
D.正常价化合物

单项选择题当形成间隙相的两组元的原子半径差（）时，可以形成无限固溶体。

A.> 15%
B.= 15%
C.< 15%
D.≤ 15%

单项选择题间隙化合物的结构比较（）。

A.简单
B.一般
C.复杂
D.有规律

单项选择题在合金钢中常遇到的间隙化合物有M3C 型，其中M 表示（）元素。

A.非金属
B.金属
C.过渡
D.放射性

单项选择题间隙化合物（）。

A.不稳定
B.很稳定
C.熔点低
D.硬度低

单项选择题TiC 使高速钢具有高的（）。

A.硬度
B.强度
C.韧性
D.红硬性

单项选择题空位、外来杂质原子、间隙原子构成了（）。

A.点缺陷
B.线缺陷
C.面缺陷
D.体缺陷

单项选择题点缺陷是（）处理的理论基础。

A.真空热
B.化学热
C.保护气氛热
D.固溶

单项选择题点缺陷（）恢复。

A.不能
B.能全部
C.只能部分
D.在低温下可

单项选择题碳在铁中的含量超过溶解度后剩余的碳可以有2种存在形式，即以石墨碳和（）的形式存在。

A.奥氏体
B.马氏体
C.铁素体
D.渗碳体

单项选择题在莱氏体中，渗碳体是（）分布的相。

A.网状
B.颗粒状
C.间断
D.连续

单项选择题热处理时的“过烧”是由于晶界处的能量（）而造成的。

A.高
B.低
C.为0
D.极大

单项选择题晶粒越细，相变速度（）。

A.越快
B.越慢
C.不变
D.与材料有关

单项选择题当温度升高时，晶粒长大的倾向是（）能量的过程。

A.自发降低
B.自发增高
C.被动降低
D.被动增高

单项选择题一个完整晶体的某一晶面上多出一排晶面的错排现象称为（）。

A.刃型位错
B.螺型位错
C.左旋螺型位错
D.右旋螺型位错