A.正偏B.基极-发射极间电压降VBE小于0C.PNP型的正偏，NPN型的反偏D.反偏‍BJT正常放大时，发射……

单项选择题‏在平衡的PN结两端外加反偏电压，会（）。

A.使空间电荷区变厚
B.使反向饱和电流减小
C.使反向饱和电流增大
D.抑制漂移，促进扩散

单项选择题​关于击穿，以下说法错误的是（）。

A.二极管整流电路利用的是二极管的反向击穿特性
B.齐纳击穿的本质是场致电离，对电场强度的要求很高
C.电击穿包括齐纳击穿和雪崩击穿两种，只要反向电流控制在一定范围内，是可以逆转的
D.雪崩击穿的本质是碰撞电离，要求少子在电场中漂移过程中能够获得足够大的动能

单项选择题‌为了在较大范围内改善半导体材料的导电能力，可以（）。

A.加强外电场
B.掺入特定杂质元素
C.提高环境温度
D.加强光照

单项选择题‏用实验方法可以测量一阶RC电路的充电时间常数τ，测量将电容充电过程的电压（或电流），记录上升到电容达到稳态值的（）倍的时间即为电路的充电时间常数τ。

A.0.632
B.0.618
C.0.368
D.0.5

单项选择题用示波器测量RC电路充放电的时间常数时，为什么示波器的探棒衰减放置×10？（）

A.提高探头带负载能力
B.提高测量精度
C.为了测量方便