PMOS管的衬底电位可以直接加在器件所在的N型阱区上。-找考题网

判断题NMOS管的衬底电位不可以直接加在圆片的P型衬底上，而是要绘制一个P型有源区，将引线孔放在P型有源区上。

判断题绘制复合逻辑门电路时，通过逻辑式化简可能用一级电路就可以实现该逻辑。

判断题CMOS电路可以直接得到与门逻辑。

判断题或非门版图中NMOS管并联，PMOS管串联。

判断题用DIVA进行与非门LVS验证时，是用与非门的电路图直接和版图进行比较。

判断题LVS结果保存在si.out文件中，文件分别把版图和电路图的元器件、端口和连线的数目显示出来，并显示匹配情况。

判断题建立设计单元库的目的是为了避免重复绘制那些反复在电路中用到的版图单元。

判断题版图中MOS管的沟道长由多晶硅栅的宽度确定。

判断题建立版图文件的命令和新建电路图文件相同，都是File-New-Cellview。

判断题在绘制版图时，版图的面积越小越好，所以要将NMOS管和PMOS管可以无限靠近。

判断题版图中MOS管沟道长度等于多晶的宽度。

判断题通常三极管版图图形比二极管版图图形要多一环。

判断题版图中并联MOS管的连接通常采用叉指方式进行连接。

判断题方块电阻越大的材料制备的电阻阻值越大。

判断题版图中串联MOS管的连接可以采用直接合并有源区来进行连接。