填空题不同杂质在硅中的固溶度差别很大。两种元素原子半径差别越大，溶解度（）；原子外层电子数差别越大，溶解度（）。
填空题缩颈是为了排除引出单晶中的（）。
填空题引晶下种时，由于籽晶和熔硅温差大，（）对籽晶造成强烈的热冲击，产生大量位错，通过缩颈，使晶体在生长中将位错“缩掉”，成为无位错单晶。
填空题籽晶定向有三种方法，（），（）和（）。
填空题拉制的硅单晶沿[111]晶向生长的有（）的棱线，沿[100]晶向生长有（）均匀分布的棱线。
