A.仪器线路比较复杂 B.依靠电容耦合 C.干扰比较大 D.测试方法比较简单
多项选择题测量少数载流子寿命时注入比控制的方法主要有()方面。
A.控制氙灯的闪光电压 B.加滤光片 C.加热硅单晶 D.加光阑
多项选择题半导体中非平衡少子载流子寿命的大小对半导体器件的()有直接影响。
A.晶体管的放大倍数 B.开关管的开关时间 C.太阳能电池的光电转换效率 D.太阳能电池的填充因子
多项选择题半导体晶体缺陷主要包括()
A.微观缺陷 B.宏观缺陷 C.表面机械损伤 D.点阵应变
单项选择题半导体晶体缺陷中的微观缺陷主要有()
A.点缺陷 B.层错 C.杂质沉淀 D.位错
多项选择题半导体晶体缺陷中的宏观缺陷主要有()
A.星型结构 B.杂质析出 C.系属结构 D.点缺陷