二次再结晶的过程中存在晶核，界面处有应力存在，气孔维持在晶界上或晶界交汇处。

单项选择题原始晶粒尺寸越小，二次再结晶速率（）；气孔尺寸越小，二次再结晶速率（）。

A.越大；越大
B.越大；越小
C.越小；越大
D.越小；越小

单项选择题晶粒长大的平均速率与晶粒的起始粒径成（），临界晶粒尺寸与第二相杂质的体积分数成（）。

A.正比；正比
B.正比；反比
C.反比；正比
D.反比；反比

单项选择题晶粒长大速率与温度和晶粒的曲率半径有关，温度越高，晶粒长大速率（）；曲率半径越大，晶粒长大速率（）。

A.越快；越快
B.越快；越慢
C.越慢；越快
D.越慢；越慢

判断题实际烧结中，几种传质过程可单独进行或几种同时进行，特定条件下是某种或几种机理起主导作用，条件改变时传质机理也随之发生变化。

多项选择题溶解-沉淀传质过程中需要控制的工艺参数有（）。

A.温度与粒度
B.液相数量
C.黏度
D.蒸汽压