A.越快;促进B.越快;阻碍C.越慢;促进D.越慢;阻碍
判断题二次再结晶的过程中存在晶核,界面处有应力存在,气孔维持在晶界上或晶界交汇处。
单项选择题原始晶粒尺寸越小,二次再结晶速率();气孔尺寸越小,二次再结晶速率()。
A.越大;越大B.越大;越小C.越小;越大D.越小;越小
单项选择题晶粒长大的平均速率与晶粒的起始粒径成(),临界晶粒尺寸与第二相杂质的体积分数成()。
A.正比;正比B.正比;反比C.反比;正比D.反比;反比
单项选择题晶粒长大速率与温度和晶粒的曲率半径有关,温度越高,晶粒长大速率();曲率半径越大,晶粒长大速率()。
A.越快;越快B.越快;越慢C.越慢;越快D.越慢;越慢
判断题实际烧结中,几种传质过程可单独进行或几种同时进行,特定条件下是某种或几种机理起主导作用,条件改变时传质机理也随之发生变化。