A.AB.BC.CD.D对突变PN结，反向电压很大时，可以略去Vbi，这时势垒电容与（）成反比。……

单项选择题​正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值，这导致了该区域内载流子出现（）过程占优。

A.产生
B.碰撞
C.复合
D.隧穿

单项选择题​不考虑势垒区的产生-复合电流，Jdn和Jdp在PN结的势垒区（）。

A.两者均随位置变化
B.两者相等
C.均为常数
D.两者均几乎为零

单项选择题处于平衡态的PN结，其费米能级（）。

A.与本征能级作同样的变化
B.与价带顶能级作同样的变化
C.与电子电位能作相同的变化
D.处处相等

问答题NPN双极晶体管，NE=108cm-3，NB=1016cm-3，We=0.5μm，Wb=0.6μm，Dpe=10cm2 s，Dnb=25cm2 s，tpe=10-7s，tnb=5×10-7s，计算α0，β0。若为缓变基区晶体管，且NB（0）=2×1016cm-3，NC=1015cm-3，其他参数相同，再求其β0。

问答题一NPN硅平面晶体管，基区宽度Wb=1μm，基区杂质浓度呈线性分布，若要求β*不小于0.975，试问：基区电子扩散长度Lnb应不小于多少微米？如果Dnb=14cm2 s，则基区电子寿命应不小于多少微秒？