计算题 NPN双极晶体管，N_E=10⁸cm^-3，N_B=10¹⁶cm^-3，W_e=0.5μm，W_b=0.6μm，D_pe=10cm²/s，D_nb=25cm²/s，t_pe=10^-7s，t_nb=5×10^-7s，计算α₀，β₀。若为缓变基区晶体管，且N_B（0）=2×10¹⁶cm^-3，N_C=10¹⁵cm^-3，其他参数相同，再求其β₀。

问答题一NPN硅平面晶体管，基区宽度Wb=1μm，基区杂质浓度呈线性分布，若要求β*不小于0.975，试问：基区电子扩散长度Lnb应不小于多少微米？如果Dnb=14cm2 s，则基区电子寿命应不小于多少微秒？

问答题一均匀基区NPN晶体管，Wb=1μm，Lnb=10μm，Lpe=5μm，pe=0.005Ω·cm，pb=0.15Ω·cm，计算γ0，β*0，α0，β0。

问答题晶体管的基区宽度Wb和基区杂质浓度Nb和晶体管的哪些特性有关？

问答题证明共射极状态下的Ebers-Moll方程可以表示为： 画出此时的等效电路。

问答题晶体管的基极电阻是怎样产生的？对BJT的特性有哪些影响？怎样减小BJT的rb？