用直拉法生长硅单晶，当生长界面凸向熔体时，单晶生长界面不但受到（）作用还受到（）的作用。

填空题生长界面具有表面张力，一个弯曲表面一定受到一个法向力的作用，法向力主要作用是克服（）。

填空题正温度梯度，在溶质边界层内，产生的过冷区不是由于负温度梯度产生的，而是由于（）而引起的，故称组分过冷。

填空题正温度梯度中在溶质边界层内，熔体的实际温度比熔体应有的（）高，在熔体内部的界面附近形成了过冷区，这个区域中的熔体处于（）。

填空题熔体中含有平衡分凝系数（）1的溶质晶体生长时，多余的溶质在界面处汇集形成杂质，在边界层内，愈接近界面溶质浓度愈（）。

填空题当熔体中是正温度梯度，界面稳定，这是对（）而言，而这是理想状态实际上是不存在的。如果考虑溶质浓度梯度影响，熔体的（）即使为正值，光滑界面也不一定稳定。