片外I/O与片外RAM统一编址优点：可以使用RAM的操作指令来操作I/O；指令丰富。缺点：I/O占用外部RAM的（）。片外I/O独立地址空间优点：不占用外部RAM的地址空间。缺点：使用（）的I/O指令，指令不丰富。

填空题串行数据通过RXD输入或输出，而TXD用于输出（）作为外接部件的同步信号。

填空题当输出为TTL电平的串行或并行I O器件与CMOS电路连接时，如果CMOS电路电源大于（）V，则必须在这两种器件之间采用电平转换器。

填空题常用输入缓冲器有（）、（）等。

填空题I O的扩展方法：一是通过（）扩展；二是通过（）扩展

填空题当使用8031单片机时，需要扩展外部程序存储器，此时EA应为（）。

填空题80C51单片机基本型内部用户RAM有128个字节单元，这些单元可以分为三个用途不同的区域，一是（），二是（），三是（）。

填空题RST引脚为复位信号输入端，当RST为（）且有效持续时间为（）个振荡周期以上，才能复位。

填空题MCS-51单片机退出空闲方式的方法有（）、（），退出掉电方式的方法有（）。

填空题MCS-51系列单片机中通常都自带内部存储器，用于存放可读写数据的叫（），用于存放程序和表格常数的叫（）。

填空题单片微型计算机由（）、（）和I O接口三部分组成。

填空题8051单片机共有（）中断源，分为（）和（）两个优先级。

填空题MSC-51属向上增长型堆栈，这种堆栈的操作规则是进栈操作时，先（）后写入数据；出栈时，先读出数据（）。

填空题布尔处理器专门用于处理（）的，以（）中的（）为累加器。

填空题异步串行数据通信有（）、（）和（）共三种数据通路形式。

问答题差动式电容加速度传感器结构如下图所示。它有两个固定极板（与壳体绝缘），中间有一用弹簧片支撑的质量块，此质量块的两个端面经过磨平抛光后作为动极板（与壳体电连接）。设计适当的测量电路，详细说明该结构配合测量电路实现加速度测量的工作原理，所有结论的得出必须要有理论依据。