判断题在CVD 技术中反应剂在室温或不太高的温度下最好是气态或有较高的蒸气压而易于挥发成蒸汽的液态或固态物质，且有很高的纯度。
判断题活性炭对物质的吸附是对极性基团少的化合物的吸附力大于极性基团多的化合物。
判断题双膜理论中在膜层以外的气、液两相主体中，由于流体充分湍动，吸收质浓度是不均匀的。
判断题吸附平衡关系由吸附过程的方向和极限决定的，是吸附过程的基本依据。
判断题CVD 装置通常可以由气源控制部件、沉积反应室、沉积温控部件、真空排气和压强控制部件等部分组成。
