填空题直拉单晶硅中，除线缺陷、面缺陷，析出和杂质条纹外，在无错单晶中，又发现一种（），它严重影响大规模集成电路性能和成品率。
填空题晶体和坩埚旋转严重影响单晶中的（）含量。
填空题氧原子在硅单晶中大部以（）状态存在，碳原子在硅单晶中处于（）状态。
填空题各种面缺陷的形成都和（）形成有关。
填空题单晶尾面脱离熔硅后，由于（）作用往往产生位错，沿滑移面向单晶内部延伸。
