填空题各种面缺陷的形成都和（）形成有关。
填空题单晶尾面脱离熔硅后，由于（）作用往往产生位错，沿滑移面向单晶内部延伸。
填空题硅单晶是典型的（）结构，并且是（）结合，（）是硅单晶的主要滑移面。
填空题位错滑移只扩大滑移区，攀移需要（）扩散，伴有质量输送。
填空题三个或更多的位错相遇一点时（节点），各位错的柏格矢量的为零，称为（）。
