A.P+、P+B.P+，N+C.N+，N+D.N+，P+NMOS源漏的掺杂类型分别为（）……

单项选择题NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。

A.P阱，P沟
B.P阱、N沟
C.N阱、N沟
D.N阱、P沟

单项选择题在集成电路加工制造中，通常所指前道工艺为（）

A.集成电路制造（晶圆加工）
B.集成电路封装
C.集成电路测试
D.集成电路设计

单项选择题在做集成电路的多晶硅电容设计时，要计算每个电容的容值，那么电容的面积大小是怎样计算的？（）

A.第一层多晶硅的面积
B.第二层多晶硅的面积
C.二层多晶硅重叠后的面积

单项选择题做集成电路的多晶硅电阻设计时，要计算每个电阻的阻值，那么电阻的长度是怎样计算的？（）

A.整个多晶硅的长度
B.多晶硅中两个引线孔中心点的距离
C.多晶硅中两个引线孔内侧的距离
D.多晶硅中两个引线孔外侧的距离

单项选择题在设计Standard cell和6TSRAM的基本单元时，我们通常都要用prboundry layer或者marker layer画一个矩形，覆盖上这个单元里的所有器件，这一层的物理作用是什么？（）

A.没什么物理意义，它只是在做单元拼接的时候起一个标记作用。
B.做联接层。
C.可以当nwell层用。