A.多晶 B.非晶 C.单晶 D.以上皆不是
单项选择题半导体硅的常用液体试剂腐蚀剂中HCL的浓度大致为（）
A.70% B.30% C.49% D.36%
单项选择题（）是最简单的点缺陷。
A.外来原子 B.填隙原子 C.空位 D.络合体
单项选择题（）是目前国内最常用的判断半导体导电类型的方法。
A.三探针法 B.单探针点接触整流法 C.冷热探笔法 D.冷探笔法
单项选择题（）是半导体中最主要的缺陷，它属于线缺陷。
A.杂质沉淀 B.位错 C.层错 D.空位
单项选择题（）对半导体单晶电化学腐蚀速度的影响最大。
A.缓冲剂 B.腐蚀液的成分 C.电极电位 D.腐蚀处理的温度和搅拌
