A.电流B.速度C.精度D.建立时间
多项选择题D A转换电路按半导体器件区分,有()。
A.单极型CMOSB.双极型TTLC.单极型ECLD.单极型NMOS
单项选择题将8K×4存储容量的只读存储器扩展为32K×8的只读存储器,需要()片存储器。
A.2B.4C.8D.16
单项选择题只读存储器向存储单元写入数据时,需要加入()。
A.使能片选信号B.高电压C.存储电荷D.选通地址
单项选择题DRAM2116结构图中增加了刷新计数器的目的是()。
A.周期为每列存储单元刷新B.周期为每行存储单元刷新C.周期进行行译码D.周期读/写数据
单项选择题单管DRAM位线上的分布电容电荷大,降低了存储高电平的电位,仅达到(),因此需要增加灵敏恢复 放大电路放大电压,达到高电平的值。
A.0.1VB.0VC.0.2VD.1V