在生长过程中要让溶液自始至终处于业稳区并保持适当的过饱和,须控制好降温速度和蒸发速率。 1.决定降温速率的工艺因素是: A.晶体允许的生长的速度。 B.溶解度温度系数 C.溶液体积(V)和晶体生长表面积(S)之比 2.晶体的取出: 晶体生长完毕后,降至室温后方可把晶体取出,以防温差过大引起晶体开裂。
问答题简述溶液法生长的主要步骤。
问答题溶液法晶体生长中,选择溶剂的主要依据是什么?
问答题试述坩埚下降法晶体生长的特点。
问答题在提拉法晶体生长中,晶体旋转对晶体生长有什么影响?
问答题提拉法晶体生长对温场有哪些要求?选取籽晶的原则是什么?
问答题在提拉法晶体生长中,为了控制所生长单晶的直径,应如何调节晶体生长条件?
问答题提拉法生长优质单晶应具备哪些条件?
问答题试述提拉法生长晶体的优缺点及其适用范围。
问答题什么是自然对流?什么是强迫对流?它们是如何形成的?它们对晶体生长有什么影响?
问答题运用非均相成核理论来分析区熔法中界面形状对晶体生长的影响。
问答题简述晶体生长体系的均匀成核与非均匀成核?
问答题简述制备CuI微晶掺杂硼硅酸盐玻璃的物理化学过程。
问答题表征纳米粒子的方法很多,其中通过XRD、SEM、TEM可得到样品哪些方面的信息?
问答题述纳米粒子的奇异特性以及造成这些特性的原因。
问答题简述制备Sb2S3微晶掺杂硅酸盐玻璃的化学过程。