电路如图所示,如果电容C2开路,则MOSFET的漏极直流电压将会(),漏极交流电压将会(),增益将会()。
A.不变,增大,增大B.不变,减小,减小C.增大,减小,不变D.增大,不变,减小
单项选择题在下图中如果输入输出均有电容耦合,则将RG的阻值由10MΩ替换为1MΩ时,栅极直流电压将会(),漏极直流电流将会(),输入电阻将会()。
A.增大,不变,减小B.不变,增大,不变C.不变,不变,减小D.增大,不变,增大
单项选择题CG放大器具有较()的输入电阻和较()的输出电阻。
A.高,高B.高,低C.低,高D.低,低
单项选择题CD放大器具有较()的输入电阻和较()的输出电阻。
判断题MOSFET源极漏极间的长度L越大,沟道长度调制效应越明显。
判断题假设NEMOSFET已工作在饱和区,若uDS继续增大时,沟道夹断点向漏极移动。