问答题银胶从冰箱取出为什么要放置退冰?
问答题已知电子的有效质量me=9.1×10-31kg,空穴的有效质量mh=3.8×10-30kg,GaAs单量子阱厚度d=8nm,GaAs量子阱带隙能量Eg1=1.424eV,求该LED在第一子能带态的发光波长。
问答题已知电子的有效质量me=9.1×10-31kg,空穴的有效质量mh=3.8×10-30kg,GaAs单量子阱厚度d=8nm,计算在第一个电子的子能带态(n=1)和在第一个空穴子能带态(n=1)的偏移。
问答题在AlGaN半导体材料中,Al的百分比是0.63,求其在常温27℃的峰值波长,并求出该发光材料光谱的半强度全宽△λ。
问答题某直接带隙半导体材料的发光波长为550nm,求其在常温27℃时光谱的半强度全宽△λ。