计算题 已知电子的有效质量me=9.1×10^-31kg，空穴的有效质量mh=3.8×10^-30kg，GaAs单量子阱厚度d=8nm，计算在第一个电子的子能带态（n=1）和在第一个空穴子能带态（n=1）的偏移。