填空题热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
填空题最常用的金属膜制备方法有（）加热蒸发、（）蒸发、（）。
填空题半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（）（）（）隔离等三种基本方法.
填空题二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
填空题离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。
