填空题二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
填空题离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。
填空题外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
填空题微波混合集成电路是指工作频率从300MHz～100kMHz的混合集成电路，可分为分布参数微波混合集成电路和（）微波混合集成电路两类。
填空题厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，（），氮化铝（A1N）陶瓷。
