A.Vb=VpB.Vb>VpC.Vb< VpD.二者没有关系材料烧结时，晶粒生长是晶界移动的结果，为保证晶粒正……

多项选择题提高物料烧结活性的途径有（）。

A.提高物料粒度
B.降低物料粒度
C.采用不同形式的母盐及热分解条件来制备活性氧化物
D.以上措施皆可

单项选择题物料粒度越大，烧结速率（）；提高烧结温度、延长烧结时间、提高成型压力一般会（）烧结。

A.越快；促进
B.越快；阻碍
C.越慢；促进
D.越慢；阻碍‍

判断题二次再结晶的过程中存在晶核，界面处有应力存在，气孔维持在晶界上或晶界交汇处。

单项选择题原始晶粒尺寸越小，二次再结晶速率（）；气孔尺寸越小，二次再结晶速率（）。

A.越大；越大
B.越大；越小
C.越小；越大
D.越小；越小

单项选择题晶粒长大的平均速率与晶粒的起始粒径成（），临界晶粒尺寸与第二相杂质的体积分数成（）。

A.正比；正比
B.正比；反比
C.反比；正比
D.反比；反比