晶体的电光调制可以分为横向电光调制和纵向电光调制两种，其中横向电光调制指的是（）。

填空题晶体的电光调制实验是光辐射调制实验的内容之一，光辐射调制从原来上来说，可分为内调制与外调制，根据光辐射调制的这种分类依据，晶体的电光调制实验是属于（）。

多项选择题以下有关晶体电光效应的描述，正确的是（）。

A.晶体的电光效应指的是某些晶体在电场作用下，折射率出现变化的现象。
B.一次电光效应也称为线性电光效应或者普克尔效应。
C.二次电光效应也称为平方电光效应或克尔效应。
D.一次电光效应只存在于不具有对称中心的晶体中。

多项选择题电场引起的晶体折射率的变化可以表示为以下对式中等号后面第二的描述中正确的是（）。

A.表示不加电场时晶体的折射率
B.电场的一次项所引起的晶体折射率变化效应
C.一次电光效应
D.线性电光效应

单项选择题在晶体的电光调制实验中，半波电压是一个重要的实验参数，以下有关半波电压的描述中，错误的是（）。

A.横向电光效应的半波电压与晶体的几何尺寸有关，在其他条件情时，晶体的厚度（垂直于通光方向的几何尺寸）越厚，半波电压越高。
B.横向电光效应的半波电压与晶体的几何尺寸有关，在其他条件情时，晶体的通光长度越长，半波电压越高。
C.为了降低半波电压，需要尽可能增加通光方向的几何尺寸。
D.为了降低半波电压，需要将晶体加工成细长的扁长方体。

单项选择题以下有关电光调制实验中光学系统构建中，正确的光电元件摆放顺序是（）。

A.半导体激光器、起偏器、电光晶体、1/4波片、检偏器、光电探测器
B.半导体激光器、起偏器、1/4波片、电光晶体、检偏器、光电探测器
C.半导体激光器、起偏器、电光晶体、检偏器、1/4波片、光电探测器
D.半导体激光器、1/4波片、起偏器、电光晶体、检偏器、光电探测器