电场引起的晶体折射率的变化可以表示为以下对式中等号后面第二的描述中正确的是（）。

单项选择题在晶体的电光调制实验中，半波电压是一个重要的实验参数，以下有关半波电压的描述中，错误的是（）。

A.横向电光效应的半波电压与晶体的几何尺寸有关，在其他条件情时，晶体的厚度（垂直于通光方向的几何尺寸）越厚，半波电压越高。
B.横向电光效应的半波电压与晶体的几何尺寸有关，在其他条件情时，晶体的通光长度越长，半波电压越高。
C.为了降低半波电压，需要尽可能增加通光方向的几何尺寸。
D.为了降低半波电压，需要将晶体加工成细长的扁长方体。

单项选择题以下有关电光调制实验中光学系统构建中，正确的光电元件摆放顺序是（）。

A.半导体激光器、起偏器、电光晶体、1/4波片、检偏器、光电探测器
B.半导体激光器、起偏器、1/4波片、电光晶体、检偏器、光电探测器
C.半导体激光器、起偏器、电光晶体、检偏器、1/4波片、光电探测器
D.半导体激光器、1/4波片、起偏器、电光晶体、检偏器、光电探测器

多项选择题在一个由红光半导体激光器、聚焦透镜、准直透镜、一维光栅和傅里叶变换透镜组成的阿贝成像实验系统中，能够替代一维光栅的光学元件是（）。

A.正交光栅
B.三维光栅
C.光字屏
D.电影胶片

单项选择题以下有关调制板的设计方案中，可行的是（）。

A.将一块透明玻璃板按照直角坐标系等分为四部分，将第一象限区域沿水平方向设置一些列互相平行的刻痕，第二象限区域沿垂直方向设置一些列互相平行的刻痕，第三象限区域沿水平方向设置一些列互相平行的刻痕，第四象限区域沿垂直方向设置一些列互相平行的刻痕。
B.将一块透明玻璃板按照直角坐标系等分为四部分，将第一象限区域沿水平方向设置一些列互相平行的刻痕，第二象限和第三象限区域沿与水平方向成45度角方向设置一些列互相平行的刻痕，第四象限区域沿垂直方向设置一些列互相平行的刻痕。
C.将一块透明玻璃板按照直角坐标系等分为四部分，将第一象限和第二象限区域沿水平方向设置一些列互相平行的刻痕，第三象限和第四象限区域沿垂直方向设置一些列互相平行的刻痕。
D.将一块透明玻璃板按照直角坐标系等分为四部分，将第一象限和第二象限区域沿垂直方向设置一些列互相平行的刻痕，第三象限和第四象限区域沿水平方向设置一些列互相平行的刻痕。

单项选择题根据阿贝成像理论，如果在频谱面上设置各种空间滤波器，挡去频谱某一些空间频率成份，则将会使像发生变化。根据阿贝成像原理，如果在频谱面上放置一个小孔滤波器，下面有关成像的描述中正确的是（）。

A.像的清晰度将下降
B.物的细节将无法在像中体现出来
C.成像不清晰
D.一定无法成像