问答题简述光生伏特效应产生的条件。
问答题对颗粒涂布型磁存储材料,假定单畴退磁场能Ed与多畴结构的畴壁能Ew分别可以表示为 1)存在一个临界半径R0,当颗粒半径R>R0时,颗粒为多畴结构;当R0时,颗粒为单畴结构。 2)下图中M-D、S-D以及S-P三个不同颗粒直径范围内矫顽力MHc与颗粒直径d的关系