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问答题

简答题

对颗粒涂布型磁存储材料,假定单畴退磁场能Ed与多畴结构的畴壁能Ew分别可以表示为

1)存在一个临界半径R0,当颗粒半径R>R0时,颗粒为多畴结构;当R0时,颗粒为单畴结构。
2)下图中M-D、S-D以及S-P三个不同颗粒直径范围内矫顽力MHc与颗粒直径d的关系

【参考答案】

1)由题中给出的两式可以看出,R值对Ed的影响大于对Ew的影响。在颗粒半径R较大时,为降低Ed,晶体畴结构以多畴形式存在,这时能量最低。当颗粒半径R较小时,其退磁场能降低得很快,甚至可以忽略不计,这样颗粒中主要是畴壁能Ew......

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