判断题NMOS源漏城需进行N+型掺杂。
判断题NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
判断题PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
判断题集成电路制造需要在告别净化环境下进行，通常净化室内气压应高于净化室外气压。
判断题集成电路制造需要在告别净化环境下进行，而光刻区对净化级别要求最高，如普通制造环境为1000级，则光刻区的净化环境则为10000级。
