简答题 2级反相器中管子的栅长和栅宽均为4μm，C_ox=1fF/μm²，N管和P管工作在饱和区的等效电阻分别为Rn=27.5KΩ和Rp=82.5KΩ，求第一级反相器的下降延迟。

问答题求图中电路从A到B的电容值，已知面电容值（fF μm2）分别为：Cox为0.6，金属与衬底为0.03，多晶硅与衬底为0.045。

问答题写出图1和图2电路的逻辑表达式OUT=f（A，B，C，D），并画出电路原理图。

问答题画出图中版图的电路原理图。

问答题根据下面的版图，求A到B的总电容，已知某工艺的典型面电容值为：Cox为0.6，金属与衬地为0.03，金属与多晶硅为0.045，金属与扩区为0.05，多晶硅与衬地为0.045，面电容的单位为fF μm2）。

问答题一个采用10个CMOS反相器的系统工作在30MHz和5V电源下，试计算每级门的功耗和平均电流，如果金属线的最大电流密度是0.8mA μm，试求电源和地线的宽度？（假定CMOS反相器的负载电容是0.15pF，PN结的反向漏电流是0.2nA）