A.它们的掺杂浓度不同,光电池掺杂浓度较高,而光电二极管掺杂浓度低; B.它们的电阻率不同,光电池的电阻率低; C.工作电压偏置条件不同,光电池通常在零偏置下工作,而光电二极管通常在反向偏置下工作; D.它们的光电流的大小不同,光电池的光电流小得多,通常在微安级。
单项选择题如图所示为结型光电器件的伏安特性曲线,第三象限是()状态,其工作方式被称为()模式,工作在这一区域的器件称为()。请选择正确的答案()
A.正偏压---光电导---光敏电阻; B.反偏压---光电导---光敏二极管; C.正偏压---光伏---光敏二极管; D.反偏压---光伏---光电池。
单项选择题当半导体PN结受光照射时,光子在()激发出电子-空穴对。在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负,这种效应称为光生伏特效应。
A.P区; B.N区; C.结区; D.中间区。
单项选择题当半导体材料受到光照时,由于对光子的吸收引起载流子浓度的变化,因而导致材料电导率的变化,这种现象称为()
A.光伏效应; B.光电导效应; C.光电发射效应; D.光热效应。
单项选择题半导体吸收光子能量使价带中的电子激发到导带,这一过程称为()
A.本征吸收B.杂质吸收C.激子吸收D.晶格吸收
单项选择题半导体受光照、外电场作用,载流子浓度就要发生变化,这时半导体处于非平衡态。光照时()的浓度几乎不变,()的浓度却大大增加,因而可以说,一切半导体光电器件对光的响应都是()的行为。请选择正确的答案()
A.多子---少子---少子; B.少子---多子---多子; C.多子---多子---多子 D.少子---少子---少子。