‎测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域？（）

单项选择题‌测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域？（）

A.恒流区（饱和区、放大工作区）
B.预夹断临界点
C.截止区
D.可变电阻区

单项选择题测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-1V，VPN=-2V；其中VPN为耗尽型MOS管的夹断电压；试判断该管工作在什么区域？（）

A.可变电阻区
B.截止区
C.预夹断临界点
D.恒流区（饱和区、放大工作区）

单项选择题测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域？（）

A.截止区
B.预夹断临界点
C.饱和区（恒流区、放大工作区）
D.可变电阻区

多项选择题如图所示各电路中，有可能工作在恒流区场效应管有（）。

A.（c）
B.（d）
C.（b）
D.（a）

单项选择题‌场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S（）。

A.P沟JFET管，夹断电压VP为2V
B.N沟JFET管，夹断电压VP为2V
C.增强型NMOS管，开启电压为2V
D.耗尽型PMOS管，夹断电压VP为2V