A.PN结始终具有整流特性B.平衡PN结中,N型半导体一侧的空间电荷区是由施主杂质离子构成的C.正向电压作用下,PN结电容以扩散电容为主D.PN结中自建电场的方向是由N区指向P区
单项选择题以下关于PN结电容的说法正确的是()
A.反向偏压增大时,势垒电容减小B.正向偏压增大时,势垒电容减小C.正向偏压增大时,扩散电容减小D.势垒电容是一种固定电容
单项选择题已知有一PN+结,通过降低NA,可以()
A.提高击穿电压B.减小势垒区宽度C.提高势垒电容D.并没有什么影响
单项选择题关于PN结的反向击穿特性,以下说法正确的有()
A.一般希望PN结的击穿电压尽可能的大一些B.雪崩击穿电压一般比隧道击穿电压小一些C.隧道击穿比较常见D.一旦击穿,PN结就损毁了
单项选择题要想减小一个P+N结的结电容,可以采用的方法有()
A.降低NAB.提高NAC.降低NDD.提高ND
单项选择题以下关于PN结电容说法正确的是()
A.正向电压增大时,势垒电容增大B.正向电压增大时,扩散电容减小C.反向电压增大时,势垒电容增大D.势垒电容是一种可变电容,扩散电容是一种固定电容