刻蚀氮化硅薄膜时，可以用加热的磷酸进行刻蚀，此时的温度一般设置在（）

单项选择题一般情况下，刻蚀完成后需要进行的操作是（）

A.曝光
B.涂胶
C.去胶
D.显影

多项选择题最常用的砷化橡的湿法刻蚀腐蚀液包括（）

A.硫酸
B.氢氟酸
C.双氧水
D.去离子水

多项选择题回态源扩散的杂质源有（）

A.硼酸三甲酯
B.氮化硼
C.硼
D.磷微晶玻璃片

多项选择题在离子注入完成后，检验到硅片表面有颗粒污染严重的情况，该情况引起的主要问题有（）

A.在局部阻挡掺杂
B.对器件结构造成连接或短路
C.对微小器件结构造成沟型损伤
D.整片硅片报废

多项选择题分结深是重要的结构参数，在检验时发现超浅结注入时，判断其造成原因有（）

A.快速热退火及升温速度和保持时间是否准确
B.检查是否有沟道效应
C.检查注入能量系统
D.检查注入速度和时间是否准确