A.电路的Ri随之增大B.BJT的基极电位随之增大C.BJT的rbe将随之减小D.电路的Ro随之增大
单项选择题射极偏置电路的结构特点是()。
A.B入C出E经电阻接地B.C入B出E经电阻接地C.B入C出E直接接地
多项选择题当共射电路的Rc增大时(其余参数不变),以下说法中正确的有()。
A.Av的大小将增大B.rbe将不变C.Ri将增大D.Ro将增大
多项选择题当共射电路的Rb增大时(其余参数不变),以下说法中正确的有()。
A.Av的大小将减小B.Ri将增大C.Ro将增大D.rbe将减小
单项选择题共射电路的结构特点是()。
A.B入E出C接地B.B入C出E接地C.C入B出E接地
单项选择题关于共射电路,下列说法中错误的是()。
A.rbe与BJT的静态工作电流有关B.共射电路的输入电阻较大C.共射电路的输入电阻较小D.共射电路的电压增益为正值