A.阻挡层B.势垒C.耗尽层D.空间电荷区
多项选择题以下二极管的简化模型中可用于估算二极管电路静态工作点的有()。
A.折线模型B.互阻放大模型C.理想模型D.恒压降模型
多项选择题向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体,()。
A.外加电场作用下,多子扩散电流与少子的漂移电流方向相反B.在产生多子自由电子的同时,生成带正电的施主离子C.内部多数载流子类型为自由电子D.外加电场作用下,多子扩散电流与少子的漂移电流方向一致
单项选择题反映稳压二极管反向击穿特性的折线模型中,电阻反映的是稳压二极管反向电流与()的比。
A.反向电压B.正向电流在一定范围内变化量C.反向电压在一定范围内变化量D.正向导通电压
单项选择题为了在较大范围内改善半导体材料的导电能力,可以()。
A.以特殊工艺向本征半导体内掺入微量三价或五价元素B.加强外电场C.加强光照D.增加半导体材料横截面积
多项选择题以下各项指标参数中,()是放大电路本身的性能指标。
A.放大电路的增益B.放大电路的负载电阻C.放大电路的频带宽度D.放大电路的非线性失真