A.θ=0°B.θ=45°C.θ=90°D.θ=180°
单项选择题与非均态成核时接触角θ大小有关的因素是()。
A.晶核与成核基底之间的界面能(γXS)B.单位体积液固相变的自由焓变C.过冷度∆TD.系统的熔点Tm
单项选择题下列发生了上坡扩散的相变过程是()。
A.成核-生长B.调幅(斯宾纳多Spinodal)分解C.马氏体相变D.有序-无序转变
单项选择题熔体析晶时,均匀成核的难易程度与过冷度有关,则()。
A.过冷度大,原子扩散容易,成核也容易B.过冷度大,原子扩散困难,但成核容易C.过冷度大,原子扩散容易,但成核困难D.过冷度大,原子扩散困难,成核也困难
单项选择题为了获得致密的制品,必须防止或减缓二次再结晶过程。工艺上常采用的方法表达不正确的是()。
A.严格控制烧结温度B.使物料颗粒细小而均匀C.加入大量的添加物D.采用热压烧结
单项选择题过冷度、临界晶核半径和成核势垒是熔体析晶过程中的重要物理参数,它们之间的关系是()。
A.过冷度越大,临界晶核半径越大,成核势垒越大B.过冷度越大,临界晶核半径越大,成核势垒越小C.过冷度越大,临界晶核半径越小,成核势垒越大D.过冷度越大,临界晶核半径越小,成核势垒越小