A.共沉淀法制备目标物质B.采用能够放出气体的原料C.反应温度设定在某起始物质熔点D.以上三种都是
单项选择题关于超导陶瓷材料的表述正确的是()
A.临界温度Tc越低越好B.临界磁场Hc越小越好C.临界电流Ic越小越好D.临界温度Tc、临界磁场Hc、临界电流Ic都是越大越好
单项选择题下列杂质对AgCl导电率提升的是()
A.AgBrB.ZnCl2C.KClD.NaBr
单项选择题关于助熔剂法制备无机材料的说法正确的是()
A.助熔剂比目标物质的熔点低B.助熔剂比目标物质的熔点高C.助熔剂只能是一种D.助熔剂法多余,不如直接将目标物质熔融再结晶
单项选择题以下哪种方法可代替共沉淀法制备前驱体?()
A.溶胶-凝胶法B.水热法C.固相合成法D.电化学沉积法
单项选择题通过何种测试技术可获得材料的表面形貌信息?()
A.TEMB.TGC.SEMD.Raman