A.K2O引入的游离氧最多,则降低落黏度的作用最大B.[SiO4]连接方式已接近岛状,四面体基本靠R-O键相连,R+半径越大,R-O键力越弱C.由于rLi+< rNa+< rK+,Li+极化能力最强D.[SiO4]间的Si-O键是黏度的主要表征,R+半径越大,对Si-O键的削弱能力越弱
单项选择题将高表面能的组分加入到低表面能的熔体组分中去,则前者在表面层的浓度将()体积内部的浓度。
A.高于B.等于C.低于D.不能确定
单项选择题低表面能的组分加入到高表面能的熔体组分中去,则前者在表面层的浓度将()体积内部的浓度。
A.高于B.等于C.低于D.无法确定
单项选择题有一右旋螺位错,若将位错线的正向定义为原来的反向,此位错()。
A.仍为右旋螺位错B.变为左旋螺位错C.性质不能确定D.与晶体结构有关
单项选择题下列缺陷一般不作为晶体缺陷看待的是()。
A.间隙原子B.层错C.孔洞D.晶界
单项选择题一般情况下,以下界面中能量较高的是()。
A.普通大角度晶界B.扭转晶界C.共格孪晶界D.对称倾斜晶界