硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（）

单项选择题PN结形成后，空间电荷区构成由（）

A.价电子
B.自由电子
C.空穴
D.杂质离子

单项选择题杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

A.温度
B.掺杂工艺
C.掺杂浓度
D.晶格缺陷

单项选择题三极管组成的放大电路在工作时，测得三极管上各电极对地直流电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，则此三极管已处于（）。

A.放大区
B.饱和区
C.截止区
D.击穿区

单项选择题PN结加正向电压时，其正向电流是（）。

A.多子扩散而成
B.少子扩散而成
C.少子漂移而成
D.多子漂移而成

单项选择题测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为VE＝3V，VB＝3.7V，VC＝3.3V，则该管工作在（）。

A.放大区
B.饱和区
C.截止区
D.击穿区

单项选择题用万用表R×1K的电阻挡检测某一个二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，这说明该二极管是属于（）。

A.短路状态
B.完好状态
C.极性搞错
D.断路状态

单项选择题处于截止状态的三极管，其工作状态为（）。

A.发射结正偏，集电结反偏；
B.发射结反偏，集电结反偏；
C.发射结正偏，集电结正偏；
D.发射结反偏，集电结正偏。

单项选择题NPN晶体管处于截止状态的条件是（）。

A.U_BE>0.7V
B.U_BE<0.7V
C.U_BE=0.7V

单项选择题选择三相负载连接方式的（）。

A.三相负载对称选△接法，不对称选Y接法
B.电源为三相四线制选Y接法，电源为三相三线制选△接法
C.选用的接法应保证每相负载得到的电压等于其额定电压

单项选择题下列图示电路中，接法没有错误的是（）。

A.
B.
C.
D.