A.工艺简单易操作B.导热好C.不易碳化D.耐高温300℃以上
单项选择题用金锑合金共晶粘片时,采用的温度为()
A.350℃~360℃B.380℃~410℃C.410℃~440℃D.420℃~450℃
单项选择题半导体的光照被消除的情况下,其中的载流子()
A.产生>复合B.产生<复合C.产生=复合D.产生率=复合率=0
单项选择题大功率芯片烧结工艺中,保护气体最好采用()
A.H2B.N2C.HeD.H2和N2混合气体
单项选择题共晶粘片的主要缺点是()
A.不可返工B.传热快C.可以导通D.可靠性好
单项选择题超声键合时,对键合表面要求()
A.清洁度较高B.清洁度较低C.清洁度一致D.清洁度不要求