A．uD＞0 B．uD＞死区电压 C．uD＞击穿电压 D．uD＜死区电压二极管的导通条件是______。……

单项选择题光敏二极管工作在（）状态。

A．正向导通
B．反向击穿
C．反向截止
D．以上都不对

单项选择题在如图所示的电路中，已知E=5V，ui=10sinωtV，VD为理想二极管，输出电压的波形图为（）。

A.
B.
C.
D.

单项选择题在如图所示的电路中，已知输入信号ui=6sinωtV，二极管VD承受的最高反压为（）V。

A．6
B．3
C．-3
D．-6

单项选择题在如图所示稳压管电路中，UZ1=UZ2=7V，正向导通时UD=0.7V，该电路的输出电压为（）V。

A．1.4
B．7
C．10
D．14

单项选择题在如图所示的稳压管电路中，UZ1=7V，UZ2=3V，该电路的输出电压为()V。

A．0.7
B．1.4
C．3
D．7

单项选择题如图所示的稳压二极管电路中，稳压管稳压值UZ=6.3V，正向导通时UD=0.3V，其输出电压为（）V。

A．0.3
B．0.7
C．7
D．14

单项选择题在如图所示的几条曲线中，表示理想二极管正向伏安特性的是（）。

A.A
B.B
C.C
D.D

单项选择题锗二极管和硅二极管的伏安特性如图所示，锗管的特性曲线是（）。

A．由a和c组成
B．由a和d组成
C．由b和c组成
D．由c和d组成

单项选择题在如图所示的电路中，VD1和VD2为理想二极管，图中VD1，VD2的状态为（）。

A．VD1、VD2导通
B．VD1导通，VD2截止
C．VD1导通，VD2截止
D．VD1、VD2、VD3导通

单项选择题Ge二极管VD，电压E和电阻R（R=3kΩ）组成的电路如图所示，该电路中电流比较准确的值是（）mA。

A．0
B．0.27
C．0.4
D．0.5