A.增加栅氧化层厚度B.增加沟道宽度C.减小沟道长度D.增加衬底掺杂浓度‍以下哪些措施可以防止MOSFET的沟……

单项选择题以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅？（）

A.降低衬底掺杂浓度
B.增加栅氧化层厚度
C.增加沟道宽度
D.减小沟道长度

单项选择题‍以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流？（）

A.减小栅氧化层厚度
B.减小沟道宽度
C.提高阈值电压
D.增加沟道长度

单项选择题ICBO代表（）时的集电极电流，称为共基极反向截止电流。

A.发射极开路、集电结反偏
B.发射极反偏、集电结开路
C.发射极短路、集电结反偏
D.发射极正偏、集电结反偏

单项选择题为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（）的掺杂。

A.高浓度、浅结深
B.低浓度、浅结深
C.低浓度、深结深
D.高浓度、深结深

单项选择题‎在测量ICBO时，双极型晶体管的发射结和集电结分别处于（）。

A.正偏和正偏
B.零偏和反偏
C.反偏和反偏
D.正偏和反偏