A.SLS生长法B.自催化VLS生长法C.VLS生长法D.VS生长以SnO粉作为热蒸发的原料，SnO在一定温度……

单项选择题利用激光脉冲束将硅靶材瞬间加热后经过（）过程得到Si纳米线。

A.液滴成核-气化-纳米线-固化析出
B.液滴成核-气化-固化析出-纳米线
C.气化-液滴成核-固化析出-纳米线
D.气化-固化析出-液滴成核-纳米线

单项选择题Shyne和Milewski在20世纪60年代提出晶须生长的VLS机理，VLS法生长的纳米线直径取决于（）

A.气相反应物
B.催化剂尺寸
C.反应时间
D.反应温度

判断题硬团聚形成的原因包括静电力、范德华力以及化学键的作用。

判断题采用沉淀法制备纳米粉体时，沉淀物的粒径取决于核形成与核成长的相对速度。

判断题在混合等离子法中，采用直流等离子电弧束主要是用来防止射频等离子弧束受干扰。